Art

J-GLOBAL ID：200902151966658460   Reference number：98A0652824

Total low temperature plasma process for epitaxial growth of compound semiconductors on Si:InSb/Si.

Si:InSb/Si上の化合物半導体のエピタキシャル成長のための低温プラズマプロセス

Author (4)： YAMAUCHI S (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  HARIU T (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  OHBA H (Tohoku Electric Power Co. Ltd., Sendai, JPN) ,  SAWAMURA K (Oki Electric Ind. Co. Ltd., Hachioji, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 316  Issue： 1/2  Page： 93-99  Publication year： Mar. 21, 1998 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *epitaxy ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0652824&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0899A") }}

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： Si ,  InSb ,  化合物半導体 ,  エピタキシャル成長 ,  低温プラズマ ,  プロセス