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J-GLOBAL ID：200902152256631055   Reference number：96A0857725

Size Dependence of the Characteristics of Si Single-Electron Transistors on SIMOX Substrates.

SIMOX基板上のSi単一電子トランジスタ特性のサイズ依存性

Author (6)： TAKAHASHI Y (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  NAMATSU H (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  KURIHARA K (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  IWADATE K (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  NAGASE M (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  MURASE K (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 43  Issue： 8  Page： 1213-1217  Publication year： Aug. 1996 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： SIMOX ,  Si ,  単一電子トランジスタ ,  サイズ依存性