Art

J-GLOBAL ID：200902152369551260   Reference number：97A0057161

Fabrication of mesoscopic structures on n-GaAs surfaces by electrochemical scanning electron microscope.

電気化学走査電子顕微鏡によるn-GaAs表面上のメソスコピック構造の加工

Author (2)： KANESHIRO C (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  OKUMURA T (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
Material： Physica B. Condensed Matter  (Phys B Condens Matter)
Volume： 227  Issue： 1/4  Page： 271-275  Publication year： Sep. 1996 
JST Material Number： H0676B  ISSN： 0921-4526  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： scanning tunneling microscope ,...
Semi thesaurus term： electrochemical scanning tunneling microscopy

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JST classification (2)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Metallic thin films  (BK14030T)

Terms in the title (3)： 電気化学 ,  走査電子顕微鏡 ,  GaAs