Art

J-GLOBAL ID：200902153112585934   Reference number：01A0426352

Improvement of Si/SiO₂ Mask etching selectivity in the new D-RIE process.

新D-RIEプロセスにおけるSi/SiO₂マスクエッチング選択性の改善

Author (4)： OHARA J (Denso Corp., Aichi, JPN) ,  KANO K (Denso Corp., Aichi, JPN) ,  TAKEUCHI Y (Denso Corp., Aichi, JPN) ,  OTSUKA Y (Denso Corp., Aichi, JPN)
Material： Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems  (IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems)
Volume： 14th  Page： 76-79  Publication year： 2001 
JST Material Number： W0377A  ISSN： 1084-6999  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *wafer ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0426352&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0377A") }}

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： RIE ,  プロセス ,  Si ,  SiO2 ,  マスクエッチング