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J-GLOBAL ID：200902153644680650   Reference number：01A0257543

FinFET. A Self-Aligned Double-Gate MOSFET Scalable to 20nm.

FinFET 20nmまで微細化できる自己整合二重ゲートMOSFET

Author (9)： HISAMOTO D (Hitachi Ltd., Tokyo) ,  LEE W-C (Univ. California, CA, USA) ,  KEDZIERSKI J (Univ. California, CA, USA) ,  TAKEUCHI H (Univ. California, CA, USA) ,  ASANO K (Univ. California, CA, USA) ,  KUO C (Univ. California, CA, USA) ,  ANDERSON E (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  KING T-J (Univ. California, CA, USA) ,  HU C (Univ. California, CA, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 47  Issue： 12  Page： 2320-2325  Publication year： Dec. 2000 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： SiGe ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： FinFET ,  微細化 ,  自己整合 ,  二重ゲート ,  MOSFET