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J-GLOBAL ID：200902153679232900   Reference number：98A0447257

Observation and creation of current leakage sites in ultrathin silicon dioxide films using scanning tunneling microscopy.

極薄二酸化けい素膜における走査トンネル顕微鏡による電流漏れサイトの生成と観察

Author (3)： WATANABE H (Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP)) ,  FUJITA K (Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP)) ,  ICHIKAWA M (Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP))
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 72  Issue： 16  Page： 1987-1989  Publication year： Apr. 20, 1998 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon dioxide ,...
Semi thesaurus term： STM【顕微鏡】

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JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (4)： 酸化けい素膜 ,  走査トンネル顕微鏡 ,  電流漏れ ,  観察