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J-GLOBAL ID：200902154006977935   Reference number：97A0125641

Two-step growth of InP on GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy.

有機金属気相エピタクシーによるGaAs基板上でのInPの2段階成長

Author (6)： TAKANO Y (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SASAKI T (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NAGAKI Y (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KUWAHARA K (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  FUKE S (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  IMAI T (Meisei Univ., Ome, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 169  Issue： 4  Page： 621-624  Publication year： Dec. 1996 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium phosphide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 有機金属気相エピタクシー ,  GaAs基板 ,  InP ,  段階 ,  成長