Art

J-GLOBAL ID：200902154576334078   Reference number：97A1036844

Fabrication of 0.06μm poly-Si gate using DUV lithography with a designed Si_xO_yN_z film as an ARC and hardmask.

反射防止膜(ARC)とハードマスクとして設計したSi_xO_yN_z薄膜を用いた深紫外線(DUV)リソグラフィーによる0.06μm ポリシリコンゲートの製作

Author (7)： LEE W W (Texas Instruments, TX) ,  HE Q (Texas Instruments, TX) ,  HANRATTY M (Texas Instruments, TX) ,  ROGERS D (Texas Instruments, TX) ,  CHATTERJEE A (Texas Instruments, TX) ,  KRAFT R (Texas Instruments, TX) ,  CHAPMAN R A (Texas Instruments, TX)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Symposium on VLSI Technology)
Volume： 1997  Page： 131-132  Publication year： 1997 
JST Material Number： A0035B  ISSN： 0743-1562  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photolithography ,...
Semi thesaurus term： エッチマスク

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (8)： 反射防止膜 ,  ARC ,  ハードマスク ,  設計 ,  薄膜 ,  深紫外線 ,  リソグラフィー ,  製作