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J-GLOBAL ID：200902154738482831   Reference number：97A0962765

A New Lateral MOS-Gated Thyristor with Controlling Base-Current.

ベース電流を制御する新しい横方向MOSゲート付きサイリスタ

Author (6)： SUGAWARA F (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi Prefecture, JPN) ,  AOKI K (Origin Electric Co. Ltd., Tochigi Prefecture, JPN) ,  YAMAGUCHI H (Origin Electric Co. Ltd., Tochigi Prefecture, JPN) ,  SASAKI K (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi Prefecture, JPN) ,  SASAKI T (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi Prefecture, JPN) ,  FUJISAKI H (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi Prefecture, JPN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 18  Issue： 10  Page： 483-485  Publication year： Oct. 1997 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： thyristor ,...

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JST classification (1)： Thyristors  (NC03060C)

Terms in the title (5)： ベース電流 ,  横方向 ,  MOS ,  ゲート ,  サイリスタ