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J-GLOBAL ID：200902154980574821   Reference number：01A0976272

Back-channel-type scanning charge pumping method for characterization of interface traps in silicon-on-insulator wafer.

絶縁体上シリコンウエハの界面トラップの評価のための背面チャネル型走査電荷ポンピング法

Author (6)： YOSHIDA H (Himeji Inst. Technol., Himeji, JPN) ,  SASAKURA H (Himeji Inst. Technol., Himeji, JPN) ,  YABUUCHI T (Himeji Inst. Technol., Himeji, JPN) ,  TAKAMI T (Himeji Inst. Technol., Himeji, JPN) ,  UCHIHASHI T (Himeji Inst. Technol., Himeji, JPN) ,  KISHINO S (Himeji Inst. Technol., Himeji, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 79  Issue： 12  Page： 1825-1827  Publication year： Sep. 17, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *SOI structure ,...
Semi thesaurus term： charge pumping

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JST classification (1)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (8)： 絶縁体 ,  シリコンウエハ ,  界面トラップ ,  評価 ,  背面 ,  チャネル ,  走査 ,  電荷ポンピング