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J-GLOBAL ID：200902155143638702   Reference number：99A0369549

Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N- and Ga-face AlGaN/GaN heterostructures.

N及びGa面AlGaN/GaNヘテロ構造における自発分極並びに圧電分極電荷に起因する二次元電子ガス

Author (9)： AMBACHER O (Cornell Univ., New York) ,  SMART J (Cornell Univ., New York) ,  SHEALY J R (Cornell Univ., New York) ,  WEIMANN N G (Cornell Univ., New York) ,  CHU K (Cornell Univ., New York) ,  MURPHY K M (Cornell Univ., New York) ,  SCHAFF W J (Cornell Univ., New York) ,  DIMITROV R (TU-Munich, Garching, DEU) ,  HILSENBECK J (Ferdinand Braun Inst., Berlin, DEU)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 85  Issue： 6  Page： 3222-3233  Publication year： Mar. 15, 1999 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (2)： Solid-state plasmas  (BM02160W) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (9)： Ga ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  自発分極 ,  圧電 ,  分極電荷 ,  起因 ,  二次元電子ガス