Art

J-GLOBAL ID：200902155611824802   Reference number：00A0768001

Self-assembled growth of epitaxial erbium disilicide nanowires on silicon(001).

けい素(001)上のエピタキシャル二けい化エルビウムナノ細線の自己集合成長

Author (5)： CHEN Y (Hewlett-Packard Lab., California) ,  OHLBERG D A A (Hewlett-Packard Lab., California) ,  MEDEIROS-RIBEIRO G (Hewlett-Packard Lab., California) ,  CHANG Y A (Hewlett-Packard Lab., California) ,  WILLIAMS R S (Hewlett-Packard Lab., California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 76  Issue： 26  Page： 4004-4006  Publication year： Jun. 26, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： ナノ細線

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JST classification (1)： Metallic thin films  (BK14030T)

Terms in the title (7)： けい素 ,  エピタキシャル ,  けい化 ,  エルビウム ,  ナノ細線 ,  自己集合 ,  成長