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J-GLOBAL ID：200902156181860245   Reference number：01A0454588

Formation of a stratified lanthanum silicate dielectric by reaction with Si(001).

Si(001)との反応による層状けい酸ランタン誘電体の形成

Author (3)： COPEL M (T.J. Watson Res. Center, New York) ,  CARTIER E (T.J. Watson Res. Center, New York) ,  ROSS F M (T.J. Watson Res. Center, New York)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 78  Issue： 11  Page： 1607-1609  Publication year： Mar. 12, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicate ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (5)： Si ,  層状 ,  けい酸 ,  ランタン ,  誘電体