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J-GLOBAL ID：200902156517965539   Reference number：99A0616622

Influence of Process-Induced Stress on Device Characteristics and Its Impact on Scaled Device Performance.

プロセス誘起ストレスのデバイス特性に及ぼす影響及びその縮小化デバイスの性能への影響

Author (5)： SMEYS P (Stanford Univ., Stanford, CA, USA) ,  GRIFFIN P B (Stanford Univ., Stanford, CA, USA) ,  REK Z U (Stanford Synchrotron Radiation Lab., Stanford, CA, USA) ,  DE WOLF I (IMEC, Leuven, BEL) ,  SARASWAT K C (Stanford Univ., Stanford, CA, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 46  Issue： 6  Page： 1245-1252  Publication year： Jun. 1999 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor device ,...

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JST classification (2)： Solic-state devices in general  (NC03010Z) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： プロセス ,  誘起 ,  ストレス ,  デバイス特性 ,  縮小