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J-GLOBAL ID：200902157292215949   Reference number：96A0603853

Silicon carbide on insulator formation using the Smart Cut process.

スマートカットプロセスを用いた絶縁体上への炭化けい素の形成

Author (5)： DI CIOCCIO L (CEA Grenoble, Grenoble, FRA) ,  LE TIEC Y (CEA Grenoble, Grenoble, FRA) ,  LETERTRE F (CEA Grenoble, Grenoble, FRA) ,  JAUSSAUD C (CEA Grenoble, Grenoble, FRA) ,  BRUEL M (CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 32  Issue： 12  Page： 1144-1145  Publication year： Jun. 06, 1996 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

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JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (2)： 絶縁体 ,  炭化けい素