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J-GLOBAL ID：200902157767635816   Reference number：98A0729113

Deep centers and their spatial distribution in undoped GaN films grown by organometallic vapor phase epitaxy.

有機金属気相エピタクシーで成長させたアンドープGaN膜における深い中心とその空間分布

Author (6)： POLYAKOV A Y (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania) ,  SMIRNOV N B (Inst. Rare Metals, Moscow, RUS) ,  GOVORKOV A V (Inst. Rare Metals, Moscow, RUS) ,  SHIN M (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania) ,  SKOWRONSKI M (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania) ,  GREVE D W (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 84  Issue： 2  Page： 870-876  Publication year： Jul. 15, 1998 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *deep level ,...
Semi thesaurus term： OMVPE

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JST classification (2)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： 有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  GaN ,  空間分布