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J-GLOBAL ID：200902158494311296   Reference number：97A0326000

Highly perfect thin films of SiC: X-ray double crystal diffractometry and X-ray double crystal topographic study.

完全性の高いSiC薄膜 X線二結晶回折法及びX線二結晶トポグラフィーによる研究

Author (4)： CHAUDHURI J (Wichita State Univ., KS, USA) ,  CHENG X (Wichita State Univ., KS, USA) ,  YUAN C (Emcore Corp., NJ, USA) ,  STECKL A J (Univ. Cincinnati, OH, USA)
Material： Thin Solid Films
Volume： 292  Issue： 1/2  Page： 1-6  Publication year： Jan. 05, 1997 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： MOVPE

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： 完全性 ,  SiC ,  薄膜 ,  X線 ,  結晶 ,  回折 ,  トポグラフィー ,  研究