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J-GLOBAL ID：200902158709050200   Reference number：97A0913574

Semiconductorlike Behavior of Electrical Resistivity in Heusler-type Fe₂VAl Compound.

ホイスラー型Fe₂VAl化合物の電気抵抗率の半導体型の挙動

Author (6)： NISHINO Y (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KATO M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ASANO S (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SODA K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HAYASAKI M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIZUTANI U (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 79  Issue： 10  Page： 1909-1912  Publication year： Sep. 08, 1997 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Heusler alloy ,...

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JST classification (1)： Electronic conduction in crystalline metals  (BM03033M)

Terms in the title (3)： ホイスラー ,  電気抵抗率 ,  挙動