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J-GLOBAL ID：200902159559078566   Reference number：99A0413507

Chemisorption of OH on the H-terminated Si(0 0 1) surface.

水素終端Si(001)表面上へのOHの化学吸着

Author (9)： GOTO H (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  HIROSE K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SAKAMOTO M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUGIYAMA K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  INAGAKI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TSUCHIYA H (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  KOBATA I (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ONO T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI Y (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Computational Materials Science  (Comput Mater Sci)
Volume： 14  Issue： 1/4  Page： 77-79  Publication year： Feb. 1999 
JST Material Number： W0443A  ISSN： 0927-0256  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (3)： 水素終端 ,  Si ,  化学吸着