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J-GLOBAL ID：200902159928458270   Reference number：01A0187981

21世紀を迎えたエレクトロニクスの技術展望 Si-Ge系ヘテロデバイスの開発動向

Author (3)：
MUROTA JUN'ICHI

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(東北大 電気通信研 超高密度・高速知能システム実験施設)

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WASHIO KATSUYOSHI

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(日立 中研)

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TAKAGI SHIN'ICHI

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(東芝 研開セ)

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Material：
電子材料  (Electronic Parts and Materials)

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Volume： 40  Issue： 1  Page： 28-38  Publication year： Jan. 01, 2001 
JST Material Number： F0040A  ISSN： 0387-0774  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)
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*HBT

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Semi thesaurus term：
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SiGeデバイス

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JST classification (2)：
JST classification
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Transistors 
(NC03070N)

About Transistors

,  Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds 
(BM03083P)

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