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J-GLOBAL ID：200902160206097590   Reference number：02A0173445

Application of parallel connected power-MOSFET elements to high current d.c. power supply.

Author (7)： MATSUKAWA T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SHIOYAMA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SHIMADA K (JAERI Naka, Ibaraki, JPN) ,  TAKAKU T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NEUMEYER C (Princeton Univ., NJ, USA) ,  TSUJI-IIO S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SHIMADA R (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
Material： Fusion Engineering and Design  (Fusion Eng Des)
Volume： 58/59  Page： 63-67  Publication year： Nov. 2001 
JST Material Number： T0497A  ISSN： 0920-3796  CODEN： FEDEEE  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (1)： MOSFET