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J-GLOBAL ID：200902160752312795   Reference number：98A0659474

Electrical properties of p-n contact with oxide semiconductor thin films fabricated by liquid phase method.

液相法で作製した酸化物半導体薄膜を含むp-n接合の電気的性質

Author (4)： OHYA Y (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  KOYAMA H (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  BAN T (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  TAKAHASHI Y (Gifu Univ., Gifu, JPN)
Material： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Mater Sci Eng B)
Volume： B54  Issue： 1/2  Page： 55-59  Publication year： Jun. 12, 1998 
JST Material Number： T0553A  ISSN： 0921-5107  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： solution growth ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 液相 ,  作製 ,  酸化物 ,  半導体薄膜 ,  p-n接合 ,  電気的性質