Art

J-GLOBAL ID：200902161011073927   Reference number：95A0635209

Step-controlled epitaxy in semiconductor SiC polytypes.

多形を有する半導体SiC単結晶のステップ制御エピタキシー

Author (2)： KIMOTO TSUNENOBU (京大 工) ,  MATSUNAMI HIROYUKI (京大 工)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 64  Issue： 7  Page： 691-694  Publication year： Jul. 1995 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A0635209&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0252A") }}

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (16)：

• VERMA, A. R. Polymorphysim and Poly typism in Crystals. 1966
• KURODA, N. Ext. Abstr. 19th Conf. Solid State Devices and Materials. 1987, 227
• KIMOTO, T. IEEE Electron Device Lett. 1993, 14, 548
• WEITZEL, C. E. IEEE Electron Device Lett. 1994, 15, 406
• XIE, W. IEEE Electron Device Lett. 1994, 15, 455

Terms in the title (4)： 多形 ,  SiC ,  単結晶 ,  エピタキシー