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J-GLOBAL ID：200902162399147214   Reference number：96A0347456

Excellent Reverse Blocking Characteristics of High-Voltage 4H-SiC Schottky Rectifiers with Boron-Implanted Edge Termination.

ほう素イオン注入エッジ終端を持つ高電圧4H-SiC Schottky整流器の優れた逆阻止特性

Author (3)： ITOH A (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 17  Issue： 3  Page： 139-141  Publication year： Mar. 1996 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： rectifier ,...

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JST classification (2)： Diodes  (NC03050R) ,  Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (8)： ほう素イオン ,  注入 ,  エッジ ,  終端 ,  高電圧 ,  4H-SiC ,  整流器 ,  阻止