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J-GLOBAL ID：200902164023752691   Reference number：96A0898769

Influence of the buffer layers on the morphology and the transport properties in InAs/(Al,Ga)Sb quantum wells grown by molecular beam epitaxy.

分子ビームエピタクシーで成長させたInAs/(Al,Ga)Sb量子井戸のモルホロジーと輸送特性に及ぼすバッファ層の影響

Author (4)： BLANK H-R (Univ. California, California) ,  THOMAS M (Univ. California, California) ,  WONG K C (Univ. California, California) ,  KROEMER H (Univ. California, California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 69  Issue： 14  Page： 2080-2082  Publication year： Sep. 30, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： quantum well ,...
Semi thesaurus term： molecular beam epitaxy

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (10)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  InAs ,  Al ,  Ga ,  Sb ,  量子井戸 ,  モルホロジー ,  輸送特性 ,  バッファ層