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J-GLOBAL ID：200902164089128565   Reference number：95A0722348

Thermal capacitance spectroscopy of epitaxial 3C and 6H-SiC pn junction diodes grown side by side on a 6H-SiC substrate.

6H-SiC基板に同時成長したエピタキシャル3Cと6HのSiC pn接合ダイオードの熱容量分光

Author (5)： SADDOW S E (Army Res. Lab., Maryland) ,  LANG M (Univ. Erlangen, Erlangen, DEU) ,  DALIBOR T (Univ. Erlangen, Erlangen, DEU) ,  PENSL G (Univ. Erlangen, Erlangen, DEU) ,  NEUDECK P G (NASA-Lewis Res. Center, Ohio)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 66  Issue： 26  Page： 3612-3614  Publication year： Jun. 26, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： chemical vapor deposition ,...

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JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (8)： 6H-SiC ,  成長 ,  エピタキシャル ,  SiC ,  PN接合 ,  ダイオード ,  熱容量 ,  分光