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J-GLOBAL ID：200902164414166053   Reference number：96A0708517

Growth of GaN by gas-source molecular beam epitaxy by ammonia and by plasma generated nitrogen radicals.

アンモニアとプラズマ生成窒素ラジカルによるガス原料分子ビームエピタクシーによるGaNの成長

Author (9)： WONG W S (UCSD, California, USA) ,  LI N Y (UCSD, California, USA) ,  DONG H K (UCSD, California, USA) ,  DENG F (UCSD, California, USA) ,  LAU S S (UCSD, California, USA) ,  TU C W (UCSD, California, USA) ,  HAYS J (Oklahoma State Univ., Oklahoma, USA) ,  BIDNYK S (Oklahoma State Univ., Oklahoma, USA) ,  SONG J J (Oklahoma State Univ., Oklahoma, USA)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 164  Issue： 1/4  Page： 159-166  Publication year： Jul. 1996 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： epitaxy ,...
Semi thesaurus term： GSMBE成長

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： アンモニア ,  プラズマ生成 ,  窒素 ,  ラジカル ,  ガス原料 ,  分子ビームエピタクシー ,  GaN ,  成長