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J-GLOBAL ID：200902164442140094   Reference number：99A0503198

窒素添加CZ-Si結晶欠陥制御 (その1) Arアニールによる欠陥消滅と高BMD密度の実現

Author (7)： OHASHI WATARU (新日本製鉄 先端技研) ,  IKARI ATSUSHI (新日本製鉄 先端技研) ,  OTA YASUMITSU (新日本製鉄 先端技研) ,  TACHIKAWA AKIYOSHI (新日本製鉄 先端技研) ,  DEAI HIROYUKI (新日本製鉄 先端技研) ,  YOKOTA HIDEKI (新日本製鉄 先端技研) ,  HOSHINO TAIZO (NSC Electron)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 46th  Issue： 1  Page： 468  Publication year： Mar. 28, 1999 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (7)： 窒素添加 ,  Si ,  結晶欠陥 ,  Ar ,  アニール ,  欠陥 ,  密度