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J-GLOBAL ID：200902164743734380   Reference number：01A0219678

Characteristics of free-standing hydride-vapor-phase-epitaxy-grown GaN with very low defect concentration.

極めて低欠陥濃度の自立した水素化物気相エピタクシー成長GaNの特性

Author (8)： VISCONTI P (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  JONES K M (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  RESHCHIKOV M A (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  YUN F (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  CINGOLANI R (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  MORKOC H (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  PARK S S (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR) ,  LEE K Y (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 77  Issue： 23  Page： 3743-3745  Publication year： Dec. 04, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： hydride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 欠陥 ,  自立 ,  水素化物気相エピタクシー ,  成長 ,  GaN