Art

J-GLOBAL ID：200902165103290970   Reference number：98A0793822

Spatial control of InGaN luminescence by MOCVD selective epitaxy.

MOCVD選択エピタキシーによるInGaN発光の空間的な制御

Author (5)： KAPOLNEK D (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER S (Univ. California, CA, USA) ,  UNDERWOOD R D (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS S P (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA U K (Univ. California, CA, USA)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 189/190  Page： 83-86  Publication year： Jun. 1998 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (3)： MOCVD ,  選択エピタキシー ,  InGaN