Art

J-GLOBAL ID：200902165395148428   Reference number：97A0014670

Electrical and piezoresistive characterization of boron-doped LPCVD polycrystalline silicon under rapid thermal annealing.

急速焼なまし時のほう素ドープLPCVD多結晶シリコンの電気的及び圧電抵抗特性の評価

Author (5)： LE BERRE M (INSA, Villeurbanne, FRA) ,  KLEIMANN P (INSA, Villeurbanne, FRA) ,  SEMMACHE B (INSA, Villeurbanne, FRA) ,  BARBIER D (INSA, Villeurbanne, FRA) ,  PINARD P (INSA, Villeurbanne, FRA)
Material： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sens Actuators A)
Volume： 54  Issue： 1/3  Page： 700-703  Publication year： Jun. 1996 
JST Material Number： B0345C  ISSN： 0924-4247  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： piezoelectricity ,...

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JST classification (2)： Piezoelectricity,pyroelectricity,electret  (BM05040M) ,  Insulating materials  (NA04030W)

Terms in the title (8)： 急速焼なまし ,  ほう素 ,  ドープ ,  LPCVD ,  多結晶シリコン ,  圧電 ,  抵抗特性 ,  評価