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J-GLOBAL ID：200902165702174466   Reference number：02A0837958

Silicon single-electron devices.

シリコン単一電子素子

Author (4)： TAKAHASHI Y (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  ONO Y (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUJIWARA A (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  INOKAWA H (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Journal of Physics. Condensed Matter  (J Phys Condens Matter)
Volume： 14  Issue： 39  Page： R995-R1033  Publication year： Oct. 07, 2002 
JST Material Number： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (2)： シリコン ,  単一電子素子