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J-GLOBAL ID：200902166072401260   Reference number：99A0326927

Room-Temperature Continuous-Wave Operation of InGaN Multi-Quantum-Well Laser Diodes Grown on an n-GaN Substrate with a Backside n-Contact.

背面n接触のあるn-GaN基板上に成長させたInGaN多重量子井戸レーザダイオードの室温連続動作

Author (9)： KURAMOTO M (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SASAOKA C (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  HISANAGA Y (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KIMURA A (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  YAMAGUCHI A A (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SUNAKAWA H (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KURODA N (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  NIDO M (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  MIZUTA M (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 38  Issue： 2B  Page： L184-L186  Publication year： Feb. 15, 1999 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum well laser ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Reference (15)：

• 1) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nakamura, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 4056.
• 2) T. Kobayashi, F. Nakamura, K. Naganuma, T. Tojyo, H. Nakajima, T. Asatsuma, H. Kawai and M. Ikeda: Electron. Lett. 34 (1998) 1494.
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• 4) S. Kubota, A. Kuramata, R. Soejima, K. Domen, K. Horino and T. Tanahashi: Proc. 2nd Int. Symp. Blue Laser and Light Emitting Diodes (1998) p. 441.
• 5) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L.1568.

Terms in the title (8)： 背面 ,  GaN ,  成長 ,  InGaN ,  多重量子井戸レーザ ,  ダイオード ,  室温 ,  連続動作