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J-GLOBAL ID：200902166410356764   Reference number：02A0776756

Growth and characterization of single-crystal GaN nanorods by hydride vapor phase epitaxy.

ハイドライド気相エピタクシーによる単結晶GaNナノロッドの成長および特性

Author (6)： KIM H-M (Dongguk Univ., Seoul, KOR) ,  KIM D S (Dongguk Univ., Seoul, KOR) ,  KIM D Y (Dongguk Univ., Seoul, KOR) ,  KANG T W (Dongguk Univ., Seoul, KOR) ,  CHO Y-H (Chungbuk National Univ., Cheongju, KOR) ,  CHUNG K S (Kyunghee Univ., Yongin, KOR)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 81  Issue： 12  Page： 2193-2195  Publication year： Sep. 16, 2002 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *hydride ,...
Semi thesaurus term： VPE growth

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： ハイドライド ,  気相エピタクシー ,  単結晶 ,  GaN ,  ナノロッド ,  成長