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J-GLOBAL ID：200902166694738203   Reference number：96A0503607

Structure and properties of tin-doped indium oxide thin films prepared by reactive electron-beam evaporation with a zone-confining arrangement.

帯域閉込め配置を持つ反応性電子ビーム蒸着で作製したすずをドープした酸化インジウム膜の構造と性質

Author (1)： RAUF I A (Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 79  Issue： 8 Pt 1  Page： 4057-4065  Publication year： Apr. 15, 1996 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： electron beam deposition ,...

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JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (9)： 帯域 ,  閉込め ,  反応性 ,  電子ビーム蒸着 ,  作製 ,  すず ,  ドープ ,  酸化インジウム ,  性質