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J-GLOBAL ID：200902167068389988   Reference number：98A0995023

Experimental evidence for a Be shallow acceptor in GaN grown on Si(111) by molecular beam epitaxy.

分子ビームエピタクシーによりSi(111)上に成長させたGaN中の浅いBeアクセプタを示す実験証拠

Author (9)： SANCHEZ F J (UPM, Madrid, ESP) ,  CALLE F (UPM, Madrid, ESP) ,  SANCHEZ-GARCIA M A (UPM, Madrid, ESP) ,  CALLEJA E (UPM, Madrid, ESP) ,  MUNOZ E (UPM, Madrid, ESP) ,  MOLLOY C H (Univ. Wales Coll. Cardiff, Cardiff, GBR) ,  SOMERFORD D J (Univ. Wales Coll. Cardiff, Cardiff, GBR) ,  SERRANO J J (UPM, Madrid, ESP) ,  BLANCO J M (UPM, Madrid, ESP)
Material： Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)
Volume： 13  Issue： 10  Page： 1130-1133  Publication year： Oct. 1998 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (8)： 分子ビームエピタクシー ,  Si ,  成長 ,  GaN ,  Be ,  アクセプタ ,  実験 ,  証拠