Art

J-GLOBAL ID：200902167572665686   Reference number：96A0223738

Solidstate Memory Using GMR Films.

GMRを用いた固体メモリー

Author (3)： SAKAKIMA HIROSHI (松下電器産業 中研) ,  IRIE YOSUKE (松下電器産業 中研) ,  KAWAWAKE YASUHIRO (松下電器産業 中研)
Material： 日本応用磁気学会誌  (Journal of the Magnetics Society of Japan)
Volume： 20  Issue： 1  Page： 22-26  Publication year： Feb. 1996 
JST Material Number： Z0944A  ISSN： 0285-0192  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： magnetoresistance effect ,...

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JST classification (2)： Memory units  (JC04060F) ,  Magnetoelectric devices  (NC03100X)

Reference (13)：

• L. J. Schwee. Proc. INTERMAG Conf. IEEE Trans. Magn. 1972, 405
• A. V. Pohm. IEEE Trans. Magn. 1992, 28, 2356
• M. N. Baibich. Phys. Rev. Lett. 1988, 61, 2472
• K. T. M. Ranmuthu. IEEE Trans. Magn. 1993, 29, 2593
• B. Dieny. J. Magn. Magn. Mat. 1991, 93, 101

Terms in the title (3)： GMR ,  固体 ,  メモリー