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J-GLOBAL ID：200902167824318305   Reference number：00A0388942

Reduction of interface-state density in 4H-Sic n-type metal-oxide-semiconductor structures using high-temperature hydrogen annealing.

4H-SiCのn型金属-酸化物-半導体構造中の界面状態密度の高温水素アニーリングによる減少

Author (4)： FUKUDA K (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and R & D Assoc. Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI S (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and R & D Assoc. Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  TANAKA T (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and R & D Assoc. Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  ARAI K (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 76  Issue： 12  Page： 1585-1587  Publication year： Mar. 20, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

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JST classification (3)： Electronic structure of surfaces  (BM02080J) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： SiC ,  酸化物 ,  界面状態密度 ,  水素 ,  アニーリング