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J-GLOBAL ID：200902167868254754   Reference number：97A0745105

Selective growth of GaN on sub-micron pattern by MOVPE.

MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長

Author (4)： MATSUSHIMA HIDETADA (名古屋大 工) ,  HIRAMATSU KAZUMASA (三重大 工) ,  HANAI HISAYOSHI (名古屋大 工) ,  SAWAKI NOBUHIKO (名古屋大 工)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 97  Issue： 59(ED97 26-40)  Page： 41-46  Publication year： May. 23, 1997 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： epitaxy ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (3)： MOVPE ,  GaN ,  選択成長