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J-GLOBAL ID：200902167945450405   Reference number：02A0686148

Preparation of highly conductive, deep ultraviolet transparent β-Ga₂O₃ thin film at low deposition temperatures.

高導電性で深紫外透明なβ-Ga₂O₃薄膜の低い蒸着温度における作製

Author (5)： ORITA M (JST-ERATO, Kawasaki, JPN) ,  HIRAMATSU H (JST-ERATO, Kawasaki, JPN) ,  OHTA H (JST-ERATO, Kawasaki, JPN) ,  HIRANO M (JST-ERATO, Kawasaki, JPN) ,  HOSONO H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 411  Issue： 1  Page： 134-139  Publication year： May. 22, 2002 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium oxide ,...

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JST classification (3)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (6)： 高導電性 ,  深紫外 ,  β-Ga2O3 ,  薄膜 ,  蒸着温度 ,  作製