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J-GLOBAL ID：200902168580788327   Reference number：00A0300375

Crystallization and electrical property change on the annealing of amorphous indium-oxide and indium-tin-oxide thin films.

非晶質酸化インジウム及び酸化インジウムすず薄膜のアニールによる結晶化と電気特性の変化

Author (2)： MORIKAWA H (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  FUJITA M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 359  Issue： 1  Page： 61-67  Publication year： Jan. 24, 2000 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium oxide ,...
Semi thesaurus term： ITO(solid solution)

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P)

Terms in the title (7)： 非晶質 ,  酸化インジウム ,  酸化インジウムすず ,  薄膜 ,  アニール ,  結晶化 ,  電気特性