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J-GLOBAL ID：200902169413244214   Reference number：01A0326785

Ultralow biased field emitter using single-wall carbon nanotube directly grown onto silicon tip by thermal chemical vapor deposition.

熱化学気相蒸着によりけい素チップ上に直接成長した単壁カーボンナノチューブを用いる超低バイアス印加の電界エミッタ

Author (6)： MATSUMOTO K (Electrotechnical Lab., Tsukuba-shi, JPN) ,  KINOSITA S (Electrotechnical Lab., Tsukuba-shi, JPN) ,  GOTOH Y (Electrotechnical Lab., Tsukuba-shi, JPN) ,  UCHIYAMA T (Advanced Technol. Inst., Tokyo, JPN) ,  MANALIS S (MIT Media Lab., Massachusetts) ,  QUATE C (Stanford Univ., California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 78  Issue： 4  Page： 539-540  Publication year： Jan. 22, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： chemical vapor deposition ,...

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JST classification (1)： Thermoionic emission and field emission  (BM09020S)

Terms in the title (7)： 熱化学気相蒸着 ,  けい素チップ ,  成長 ,  カーボンナノチューブ ,  バイアス ,  印加 ,  電界エミッタ