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J-GLOBAL ID：200902170487088611   Reference number：99A0598765

Semimetal to semiconductor transition in ErP islands grown on InP(001) due to quantum-size effects.

InP(001)上に成長したErP島構造の量子サイズ効果に起因した半金属から半導体への転移

Author (6)： BOLOTOV L (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TSUCHIYA T (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NAKAMURA A (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ITO T (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  FUJIWARA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEDA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 59  Issue： 19  Page： 12236-12239  Publication year： May. 15, 1999 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium phosphide ,...

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JST classification (1)： Metal-insulator transitions  (BM02110T)

Terms in the title (7)： InP ,  成長 ,  ERP ,  島構造 ,  量子サイズ効果 ,  起因 ,  半金属