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J-GLOBAL ID：200902170564341961   Reference number：03A0088397

Transistors with Dual Work Function Metal Gates by Single Full Silicidation (FUSI) of Polysilicon Gates.

ポリシリコンゲートの単一全シリサイド化(FUSI)による仕事関数金属デュアルゲートをもつトランジスタ

Author (5)： MASZARA W P (AMD, CA, USA) ,  KRIVOKAPIC Z (AMD, CA, USA) ,  KING P (AMD, CA, USA) ,  GOO J-S (AMD, CA, USA) ,  LIN M-R (AMD, CA, USA)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 2002  Page： 367-370  Publication year： 2002 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： polysilicon gate ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： シリサイド ,  仕事関数 ,  デュアルゲート ,  トランジスタ