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J-GLOBAL ID：200902172298197720   Reference number：94A0028123

Reactive ion etching of gallium nitride in silicon tetrachloride plasmas.

四塩化けい素プラズマ中での窒化ガリウムの反応性イオンエッチング

Author (6)： ADESIDA I (Univ. Illinois, Illinois) ,  MAHAJAN A (Univ. Illinois, Illinois) ,  ANDIDEH E (Univ. Illinois, Illinois) ,  KHAN M A (APA Optics, Inc., Minnesota) ,  OLSEN D T (APA Optics, Inc., Minnesota) ,  KUZNIA J N (APA Optics, Inc., Minnesota)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 63  Issue： 20  Page： 2777-2779  Publication year： Nov. 15, 1993 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (2)： Applications of plasma  (BJ02110K) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： 四塩化けい素 ,  プラズマ ,  窒化ガリウム ,  反応性イオンエッチング