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J-GLOBAL ID：200902173270662173   Reference number：94A0340550

First-principles Molecular-dynamics Simulations of Material Surface Processing. H-termination Process of Si(001)Surface.

材料表面現象の第一原理分子動力学シミュレーション シリコン単結晶(001)表面の水素終端化反応

Author (6)： HIROSE KIKUJI (大阪国際女大) ,  GOTO HIDEKAZU (京都工繊大 工芸) ,  TSUCHIYA HACHIRO (大阪大 工) ,  MORI YUZO (大阪大 工) ,  ENDO KATSUYOSHI (大阪大 工) ,  YAMAUCHI KAZUTO (大阪大 工)
Material： 精密工学会誌  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
Volume： 60  Issue： 3  Page： 402-406  Publication year： Mar. 1994 
JST Material Number： F0268A  ISSN： 0912-0289  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： density distribution ,...

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JST classification (3)： Analysis of chemical process  (XC01030R) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Cutting in general  (QC02010V)

Reference (15)：

• 1) 高萩隆行 : シリコソウエハ表面の水素不活性化, 精密工学会超精密加工専門委員会第15回研究会資料, (1993) 15.
• 2) W. Kohn and L. J. Sham : Self-consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects, Phys. Rev., 140, 4 A, (1965) 1133.
• 3) G. B. Bachelet, D. R. Hamann and M. Schluter : Pseudopotentials that Work : From H to Pu, Phys. Rev., B 26-6, (1979) 4199.
• 4) R. Car and M. Parrinello : Unified Approach for Molecular Dynamics and Density - Functional Theory, Phys. Rev. Lett., 55, 22, (1985) 2471.
• 5) 宇田 毅 : 第一原理分子動力学によるシリコン表面の構造予測, 精密工学会誌 59, 6 (1993) 886.

Terms in the title (4)： 表面現象 ,  第一原理分子動力学シミュレーション ,  シリコン単結晶 ,  水素終端