Art

J-GLOBAL ID：200902174811193020   Reference number：96A0932390

Comment on “Reduction of hot electron degradation in metal oxide semiconductor transistors by deuterium processing” [Appl. Phys. Lett. 68, 2526 (1996)].

“重水素プロセスによる金属-酸化物-半導体トランジスタのホットエレクトロン劣化の低下”に対するコメント

Author (2)： VAN DE WALLE C G (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  JACKSON W B (Xerox Palo Alto Res. Center, California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 69  Issue： 16  Page： 2441  Publication year： Oct. 14, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOS structure ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0932390&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 重水素 ,  プロセス ,  酸化物 ,  トランジスタ ,  ホットエレクトロン ,  コメント