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J-GLOBAL ID：200902175448996669   Reference number：02A0693597

Ferroelectric properties of vanadium-doped Bi₄Ti₃O₁₂ thin films deposited by a sol-gel method.

ゾル-ゲル法で堆積したバナジウムドープBi₄Ti₃O₁₂薄膜の強誘電特性

Author (4)： KIM S S (Changwon National Univ., Kyongnam, KOR) ,  SONG T K (Changwon National Univ., Kyongnam, KOR) ,  KIM J K (Changwon National Univ., Kyongnam, KOR) ,  KIM J (Changwon National Univ., Kyongnam, KOR)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 92  Issue： 4  Page： 2213-2215  Publication year： Aug. 15, 2002 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *dielectric thin film ,...

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JST classification (2)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (6)： ゾル-ゲル法 ,  堆積 ,  バナジウム ,  ドープ ,  薄膜 ,  強誘電特性