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J-GLOBAL ID：200902175671068854   Reference number：94A0313914

Sub-50 NM Gate Length N-MOSFETs with 10NM Phosphorus Source and Drain Junctions.

10nm燐ドープソースおよびドレイン接合をもつサブ50nmゲート長n-MOSFET

Author (6)： ONO M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SAITO M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YOSHITOMI T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  FIEGNA C (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OHGURO T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  IWAI H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1993  Page： 119-122  Publication year： 1993 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： NMOS structure ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： 燐 ,  ドープ ,  ソース ,  ドレイン ,  サブ ,  ゲート長 ,  MOSFET