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J-GLOBAL ID：200902177200998692   Reference number：95A0555210

Study of selective and non-selective growth in GeF4-Si2H6 System.

GeF₄-Si₂H₆系反応性熱CVDによるSiGe膜の成長...選択・非選択成長の検討

Author (5)： TAKADA YOSHIHARU (東京工大) ,  MINAMI KOICHIRO (東京工大) ,  OUCHI TAKAYUKI (東京工大) ,  YAMAMOTO MASASHI (東京工大) ,  HANNA JUN'ICHI (東京工大)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 42nd  Issue： Pt 2  Page： 741  Publication year： Mar. 1995 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (6)： Si2H6 ,  反応性 ,  熱CVD ,  SiGe ,  成長 ,  選択成長